식각(Etching)은 반도체 제조 과정에서 웨이퍼에 형성된 특정 패턴을 따라 물질을 제거하는 과정입니다. 이 과정을 통해 반도체 소자의 미세한 구조가 형성됩니다. 일반인도 이해하기 쉽게 단계별로 설명하겠습니다. 식각의 종류 식각은 크게 두 가지 방법으로 나눌 수 있습니다: 습식 식각(Wet Etching)과 건식 식각(Dry Etching). 1. **습식 식각 (Wet Etching)**:    - **화학 용액 사용**: 습식 식각은 액체 상태의 화학 용액을 사용하여 웨이퍼의 특정 부분을 녹여 제거하는 방법입니다.    - **침지 방식**: 웨이퍼를 화학 용액에 담그면, 용액이 웨이퍼 표면의 특정 물질과 반응하여 이를 녹입니다.    - **장점**: 간단하고 비용이 적게 듭니다.    - **단..

반도체 제조 공정은 매우 복잡하고 정밀한 과정을 요구합니다. 이 공정은 일반적으로 다음과 같은 8대 공정으로 구성됩니다: 1. **웨이퍼 제조 (Wafer Fabrication)**:    - 반도체의 기본 재료인 실리콘 웨이퍼를 생산합니다. 고순도의 실리콘을 용융시켜 단결정 실리콘 덩어리를 만들고, 이를 얇게 절단하여 웨이퍼를 만듭니다. 2. **산화 (Oxidation)**:    - 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을 형성합니다. 이 산화막은 반도체 소자의 절연층으로 사용됩니다. 3. **포토리소그래피 (Photolithography)**:    - 자외선(UV)을 사용하여 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 형성합니다. 감광성 물질인 포토레지스트를 웨이퍼에 도포한 후, 마스크를 통해 자외선을 조사하여..