반도체 제조 8대 공정 중 '산화' 과정 자세히 알아보기
반도체 제조 8대 공정 중 '산화' 과정 반도체 제조에서 '산화' 과정은 웨이퍼 표면에 얇은 실리콘 산화막(SiO2)을 형성하는 단계입니다. 이 과정은 반도체 소자의 절연층을 만들기 위해 필요하며, 이를 통해 전기적 특성을 제어할 수 있습니다. 일반인도 이해하기 쉽게 단계별로 설명하겠습니다. 1. **웨이퍼 준비**: - 반도체 제조의 첫 단계에서 웨이퍼는 이미 만들어져 있습니다. 이 웨이퍼는 주로 순수한 실리콘으로 구성되어 있습니다. 2. **산화로 (Oxidation Furnace) 준비**: - 산화 과정을 진행하기 위해 웨이퍼를 고온의 산화로에 넣습니다. 산화로는 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성할 수 있는 적절한 환경을 제공합니다. 3. **산화 환경 설정**: - 웨이퍼를 산..
2024.06.19