반도체 제조 공정: 8대 공정
반도체 제조 공정은 매우 복잡하고 정밀한 과정을 요구합니다. 이 공정은 일반적으로 다음과 같은 8대 공정으로 구성됩니다: 1. **웨이퍼 제조 (Wafer Fabrication)**: - 반도체의 기본 재료인 실리콘 웨이퍼를 생산합니다. 고순도의 실리콘을 용융시켜 단결정 실리콘 덩어리를 만들고, 이를 얇게 절단하여 웨이퍼를 만듭니다. 2. **산화 (Oxidation)**: - 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을 형성합니다. 이 산화막은 반도체 소자의 절연층으로 사용됩니다. 3. **포토리소그래피 (Photolithography)**: - 자외선(UV)을 사용하여 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 형성합니다. 감광성 물질인 포토레지스트를 웨이퍼에 도포한 후, 마스크를 통해 자외선을 조사하여..
2024.06.19